為助力寬禁帶半導體產業(yè)生態(tài)圈建設，推動技術創(chuàng)新與資源高效對接，寬禁帶聯盟特別推出政策風向解讀、前沿技術追蹤、產業(yè)鏈合作動態(tài)、創(chuàng)新產品技術發(fā)布、重點項目建設及投融資熱點等核心板塊，為行業(yè)同仁打造一個全面、權威、高效的信息交流平臺。每月更新，持續(xù)為行業(yè)賦能。若您有技術突破、項目進展、合作需求或行業(yè)活動需推廣傳播，歡迎與我們聯系。讓我們攜手推進寬禁帶半導體產業(yè)高質量發(fā)展！

　　北京市經信局、北京市財政局印發(fā)《2025年北京市高精尖產業(yè)高質量發(fā)展項目資金和支持中小企業(yè)發(fā)展資金實施指南（第一批）》

　　北大楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學研究上獲重要進展

　　英飛凌與國際汽車供應商 Forvia Hella 進行汽車領域SiC合作

　　征世科技：成功研發(fā)30 mm×55 mm單晶金剛石散熱片及2英寸單晶金剛石晶圓

　　呼和浩特經開區(qū)管委會與納星（寧波）半導體有限公司完成金剛石熱管理材料產業(yè)化項目簽約

　　近日，工業(yè)與信息化部、國家發(fā)展改革委、國家能源局等八部門發(fā)布《新型儲能制造業(yè)高水平質量的發(fā)展行動方案》（以下簡稱《行動方案》），提出到2027年，我國新型儲能制造業(yè)全鏈條國際競爭優(yōu)勢凸顯，優(yōu)勢企業(yè)梯隊進一步壯大，產業(yè)創(chuàng)新力和綜合競爭力明顯提升，實現高端化、智能化、綠色化發(fā)展。

　　新型儲能制造業(yè)是為新型儲能提供能量存儲、信息處理、安全控制等產品的制造業(yè)的總稱，以新型電池等蓄能產品和各類新型儲能技術為主要領域，也包括電源管理芯片、電力電子器件、熱管理和能量控制管理系統(tǒng)等環(huán)節(jié)。

　　《行動方案》鼓勵發(fā)展多元化新型儲能本體技術。提出面向中短時、長時電能存儲等多時間尺度、多應用場景需求，加快新型儲能本體技術多元化發(fā)展，提升新型儲能產品及技術安全可靠性、經濟可行性和能量轉化效率。加快鋰電池等成熟技術迭代升級，支持顛覆性技術創(chuàng)新，提升高端產品供給能力。推動超級電容器、鉛碳電池、鈉電池、液流電池等工程化和應用技術攻關。

　　《行動方案》突出多維度新型儲能安全。要求圍繞新型儲能系統(tǒng)生產制造、運行維護、回收利用全生命周期，構建本征安全、主動預警、高效防護、安全應用等多維度技術體系。加強新型儲能各技術路線熱失控及燃燒爆炸失效機理研究，突破儲能電池本征安全與控制技術，支持基于數字孿生和人工智能技術開展新型儲能安全預警技術攻關。

　　《行動方案》強調推進電源和電網側儲能應用，拓展用戶側儲能多元應用。積極鼓勵探索火電合理配置新型儲能，支持開展新型儲能配合調峰、調頻等多場景應用。推動新能源集成新型儲能和智能化調控手段建設友好型新能源電站。面向數據中心、智算中心、通信基站、工業(yè)園區(qū)、工商業(yè)企業(yè)、公路服務區(qū)等對供電可靠性、電能質量發(fā)展要求高和用電量大的用戶，推動配置新型儲能。依托“光儲充換檢”綜合性充換電站建設，發(fā)揮新型儲能在車網互動等新模式中的支撐作用。推動“光伏+儲能”系統(tǒng)在城市照明、交通信號、農業(yè)農村、公共廣播、“智慧車棚”等公共基礎設施融合應用，鼓勵構建微型離網儲能系統(tǒng)。

　　北京市科學技術委員會、中關村科技園區(qū)管理委員會等3部門正式印發(fā)《北京市加快推進“人工智能+新材料”創(chuàng)新發(fā)展行動計劃（2025-2027年）》（以下簡稱《行動計劃》），提出到2027年，北京“人工智能+新材料”創(chuàng)造新興事物的能力明顯地增強，發(fā)布新一代物質科學大原子模型，研發(fā)10個（套）以上垂類模型和自主核心軟件，形成15個人AI賦能的標桿性新材料產品。

　　《行動計劃》從融合創(chuàng)新源頭攻關、新材料數據設施構筑、智能實驗室建設、新業(yè)態(tài)培育和創(chuàng)新生態(tài)提升等5個方面凝練形成18項具體任務。

　　支持材料科學和AI融合創(chuàng)新基礎研究，加快材料科學理論突破和前沿新材料發(fā)現?；诳茖W原理與數據融合，開發(fā)新一代物質科學大原子模型，圍繞新材料細致劃分領域，開發(fā)新材料智能研發(fā)垂類模型與軟件系統(tǒng)，打造一批人工智能賦能的標桿性新材料產品，在電池材料、催化材料、新型顯示材料、特種合金等細致劃分領域，研制一批高性能的關鍵新材料及器件，強化新材料自主保障能力和一馬當先的優(yōu)勢；在高溫超導、超材料、低維碳材料等前沿領域，形成一批國際領先的創(chuàng)新成果。

　　支持建設國家新材料大數據中心主平臺服務門戶，謀劃制定北京市新材料領域科技項目數據匯交規(guī)則，建立北京區(qū)域性數據資源節(jié)點。建設材料數據標準體系，發(fā)揮材料試驗技術聯盟等行業(yè)組織作用，加快制定材料數據采集、存儲、確權、流通、共享、應用、價值評估與質量評定等標準規(guī)范。充分的利用國家數據要素綜合試驗區(qū)建設契機，發(fā)展和應用材料數據隱私計算、區(qū)塊鏈等技術，引導材料數據可信流通交易。

　　開發(fā)新材料智能實驗關鍵技術和裝備，形成軟硬一體、干濕閉環(huán)的解決方案和智能裝備，支撐全流程智能實驗。圍繞電子信息、醫(yī)藥健康、綠色能源、高端裝備重點產業(yè)的新材料發(fā)展需求，建設一批標桿新材料智能實驗室。支持開放智能實驗室和中試平臺建設，打造“人工智能+新材料”公共服務平臺和高能級創(chuàng)新平臺。

　　培育一批專業(yè)化市場主體，包括新材料細致劃分領域AI算法模型、智能體、工具軟件、數據等服務商，以及智能裝備提供商和系統(tǒng)集成商。探索新材料研發(fā)流程模塊化，鼓勵研發(fā)模塊服務外包，培育新材料研發(fā)服務新模式。同時，加速人工智能、大數據等技術在新材料研發(fā)生產制造全流程的賦能應用。

　　推動央國企率先開展“人工智能+新材料”融合創(chuàng)新，帶動上下游企業(yè)加快前瞻布局和轉型升級，培育壯大創(chuàng)新主體。加強“人工智能+新材料”人才多元梯次培養(yǎng)，建設“人工智能+新材料”創(chuàng)新社區(qū)，促進國際交流與合作，強化科學技術金融賦能作用，打造“人工智能+新材料”融合創(chuàng)新示范基地。

　　北京市經信局、北京市財政局印發(fā)《2025年北京市高精尖產業(yè)高質量發(fā)展項目資金和支持中小企業(yè)發(fā)展資金實施指南（第一批）》

　　根據《北京市高精尖產業(yè)高質量發(fā)展項目資金管理辦法》《北京市支持中小企業(yè)發(fā)展資金管理辦法》等文件規(guī)定，北京市經濟和信息化局、北京市財政局發(fā)布了《2025年北京市高精尖產業(yè)高質量發(fā)展項目資金和支持中小企業(yè)發(fā)展資金實施指南（第一批）》，支持企業(yè)調結構、強能力，注重提升產業(yè)科學技術創(chuàng)新能力，強化企業(yè)梯隊建設，壯大特色優(yōu)勢集群，促進產業(yè)數字化綠色化發(fā)展，提高產業(yè)高質量發(fā)展質效。支持方向擴展到18個（企業(yè)培育獎勵、并購貸款貼息、戰(zhàn)略性項目貸款貼息、中小企業(yè)服務體系績效評價獎勵、中小企業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)獎勵、北京“專精特新”專板股權融資獎勵、“創(chuàng)贏未來”項目獎勵、集成電路設計產品首輪流片獎勵、醫(yī)藥創(chuàng)新品種產業(yè)規(guī)?；剟?、機器人創(chuàng)新產品首試首用獎勵、商業(yè)航天保險補貼、重點新材料首批次應用示范獎勵、打造行業(yè)標桿示范首方案獎勵、重點共享開源項目獎勵、數據要素市場示范獎勵、“新智造100”項目獎勵、綠色低碳發(fā)展項目獎勵、老舊廠房更新利用獎勵），覆蓋十大高精尖產業(yè)、未來產業(yè)及數字化的經濟等重點領域，集聚推動大中小企業(yè)融通創(chuàng)新發(fā)展，加大普惠類政策資金投放，最高支持5000萬。

　　北大楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延材料中位錯的原子級攀移動力學研究上獲重要進展

　　北京大學物理學院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所、寬禁帶半導體研究中心、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、納光電子前沿科學中心楊學林、沈波團隊在氮化鎵外延薄膜中位錯的原子級攀移動力學研究上取得重要進展。相關成果2025年2月5日以“從原子尺度上理解氮化物半導體中的位錯攀移：不對稱割階的影響”（Atomistic Understanding of Dislocation Climb in Nitride Semiconductors: Role of Asymmetric Jogs）為題在線發(fā)表于《物理評論快報》（Physical Review Letters）上。

　　在六方結構的氮化鎵外延生長過程中，位錯主要以攀移方式運動，但至今仍然缺乏對位錯攀移運動的原子級表征和理解。常規(guī)的電鏡技術只能獲得晶體中靜態(tài)的位錯二維投影圖像，要觀測到位錯的原子尺度運動過程依然面臨巨大挑戰(zhàn)。

　　針對上述關鍵科學問題和應用需求，北京大學楊學林、沈波團隊對氮化鎵外延薄膜中位錯的原子尺度攀移過程進行了深入研究。通過采用掃描透射電子顯微鏡(STEM)的深度切片技術，結合精心設計的外延結構調控位錯攀移傾角，使其與STEM的深度分辨率精準匹配，成功捕捉到了單根位錯線的原子級攀移過程，并發(fā)現混合位錯中的5環(huán)不全位錯以“5-9”原子環(huán)循環(huán)交替的方式來進行攀移。在此基礎上，合作單位北京計算科學研究中心黃兵團隊利用模擬計算確認了位錯割階的原子結構和電子結構，并提出了“費米能級調控割階形成”的新機制，為“摻雜怎么樣影響位錯攀移”這一問題的理解提供了全新的物理視角。

　　10.1038/s46-9）的最新研究論文，發(fā)現了高溫高壓下石墨經由后石墨相形成六方金剛石的全新路徑，并“首次”合成出高質量六方金剛石塊材，發(fā)現其具有高出立方金剛石的極高硬度和良好的耐熱性。該成果不僅提供了一種純相六方金剛石人工合成的有效途徑，給出了其獨立存在的有力證據，也為超硬材料和新型碳材料添加了性能更為優(yōu)異的新成員，為突破立方金剛石的應用局限提供了可能；該成果對進一步探索隕石中鉆石的具體來源和重大地質事件也有著重要意義。

　　格拉斯哥大學詹姆斯瓦特工程學院的戴維莫蘭教授領導的研究團隊與來自澳大利亞皇家墨爾本理工大學和美國普林斯頓大學的合作伙伴共同設計出新型的金剛石晶體管。該晶體管可默認處于關閉狀態(tài)——這對于確保開啟時承載大量電流的設備的安全至關重要。該金剛石晶體管可應用于需要大電壓且格外的重視效率的領域，例如電網或電動汽車。其成果發(fā)表在《先進電子材料》雜志上。

　　電力電子面臨的挑戰(zhàn)是，開關的設計需要能夠在不使用時保持牢固關閉狀態(tài)以確保其符合安全標準，但在打開時也必須要提供非常高的功率。

　　在格拉斯哥大學詹姆斯瓦特納米制造中心，研究小組利用表面化學技術來改善金剛石的性能，先用氫原子涂覆金剛石，然后再涂覆氧化鋁層。使其金剛石晶體管需要6伏才能打開，是以前的金剛石晶體管的兩倍多，同時在激活時仍能提供大電流。

　　他們還改進了電荷在器件中的移動效率，性能比傳統(tǒng)的金剛石晶體管提高了一倍，進而可提升器件的效率。

　　2月13日，根據日本EDP公司官網，宣布成功開發(fā)出全球最大級別30×30 mm以上的金剛石單晶，刷新行業(yè)紀錄！此前30×30 mm以上基板需采用多晶拼接技術，現可通過離子注入剝離技術實現大尺寸單晶基板。

　　尺寸：15×15毫米至30×30毫米（15×15毫米以下的單晶基板已上市。）

　　日本國立材料研究所廖梅勇團隊證明了利用Ib型單晶金剛石（SCD）襯底表面態(tài)和深層缺陷的協同效應，能輕松實現低工作電壓（5 V）的超高增益DUV光電探測器（PD）。金剛石DUV- PD的整體光響應，如靈敏度、暗電流、光譜選擇性和響應速度，能夠最終靠SCD襯底表面的氫或氧終止來簡單地定制。在220 nm光下，DUV響應率和外量子效率分別超過2.5×104A/W和1.4×107%，與PMT相當。DUV/可見光抑制比（R220 nm/R400 nm）高達6.7×105。深氮缺陷耗盡二維空穴氣體提供了低暗電流，在DUV照射下電離氮的填充產生了巨大的光電流。表面態(tài)和本體深度缺陷的協同效應為開發(fā)與集成電路兼容的DUV探測器開辟了道路。

　　2025年2月21日，天科合達與慕德微納在徐州簽署投資合同，共同出資成立合資公司。雙方將在AR衍射光波導鏡片研發(fā)技術與市場推廣方面展開深度合作，一同推動AR行業(yè)的技術創(chuàng)新與應用落地。

　　此次簽約后，雙方將緊密合作，天科合達將憑借其在碳化硅襯底領域的深厚技術積累，為慕德微納提供滿足 AR 衍射光波導需求的高質量碳化硅襯底產品。慕德微納則將利用自身在微納光學技術和AR光波導加工方面的優(yōu)勢，逐步優(yōu)化 AR 衍射光波導的性能。此次合作將加速AR衍射光波導鏡片的技術突破，推動AR行業(yè)向更高性能、更輕量化方向發(fā)展。同時，雙方優(yōu)勢互補，有望在全球AR市場中占據領先地位。

　　英飛凌與國際汽車供應商 Forvia Hella 進行汽車領域SiC合作

　　據了解，英飛凌的Cool SiC MOSFET采用Q-DPAK封裝，專為800 V汽車架構中的車載充電器和 DCDC 應用而設計，該封裝的爬電距離為4.8 mm，無需額外的絕緣涂層就可以實現超過900 V的工作電壓，基于Gen1p 技術，0V關斷可實現單極柵極控制，從而通過減少PCB中的元件數量來簡化設計。

　　2月11日，麥格納在官網宣布，他們已與梅賽德斯-奔馳擴大長期創(chuàng)新合作伙伴關系，并將為后者提供采用碳化硅技術的電驅動系統(tǒng)。

　　文章進一步透露，麥格納已為梅賽德斯-奔馳生產了超過50萬輛越野車。接下來，麥格納將通過開發(fā)和工程服務加強合作伙伴關系，為梅賽德斯-奔馳提供eDS Duo 電驅動系統(tǒng)，直至梅賽德斯-奔馳標志性越野車的全新電動車型實現生產。資料顯示，eDS Duo 是一款雙速雙電機驅動裝置，憑借先進的碳化硅和解耦等技術，在保持高效率的可提供卓越的性能，其功率高達 240 kW，具有領先的牽引力和越野能力，并包括車輪獨立推進系統(tǒng)。2024年，麥格納已經在位于奧地利蘭納赫的工廠開始生產 eDS Duo。麥格納動力總成總裁Diba Ilunga表示：“麥格納曾為梅賽德斯-奔馳標志性越野車供應過三代分動箱，現在很榮幸能為這款傳奇車型配備第一代電動裝置。eDS Duo 展示了麥格納提供動力總成解決方案的靈活方法，可協助客戶無縫從內燃機過渡到電動汽車?！?/P>

　　為降低SiC材料損耗，深圳平湖實驗室新技術研究部開發(fā)激光剝離工藝來替代傳統(tǒng)的多線切割工藝，其工藝過程示意圖如下所示：

　　有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。

　　近日，江蘇集芯先進材料有限公司推出兩用碳化硅晶片倒角機。該款倒角機的核心功能在于其兼容兩種不一樣的尺寸的碳化硅晶片，且在調整尺寸時無需更換打磨臺。這一獨特設計的優(yōu)點是可以有很大成效避免因換臺而引起的碳面與硅面間幅差異，確保了晶片的加工精度。這一創(chuàng)新不僅降低了操作的復雜性，還明顯提高了生產效率，體現了當前先進制造業(yè)向智能化、簡便化邁進的趨勢。

　　根據加工要求與工藝特點，選用五軸微射流激光加工設施，成功完成 AR 鏡片外形切割后，又在碳化硅 AR 鏡片外形切割塊上順利實施去端切片，獲得厚度為 0.65mm 的高品質鏡片切片。

　　經檢測，碳化硅晶體切割邊緣無熱影響、崩邊和缺口等瑕疵，加工完成的 AR 鏡片切片的表面粗糙度精準控制在 0.5 - 0.7μm 區(qū)間，充分驗證了微射流激光技術在實際生產中的可行性與優(yōu)越性。碳化硅晶體的切割達到預期效果，切割邊緣無熱影響和崩邊、缺口等現象；如圖所示，加工完成的AR鏡片的切割面粗糙度Ra=0.662μm。

　　在湖北省荊州市磁共振新技術論壇上，聯影醫(yī)療首次將 SiC 材質與磁共振的核心部件梯度功率放大器（GPA）結合，能夠最大化釋放GPA性能，并搭載全新磁共振可持續(xù)性發(fā)展解決方案，可為客戶節(jié)省高達57%的能耗，助力綠色醫(yī)療建設。

　　在SiC材料的加持下，聯影醫(yī)療首創(chuàng)SiC GPA，為磁共振設備賦予了新能源動力系統(tǒng)。SiC 材料具備高電子飽和速度的特性，電子在其中傳輸時，如同在高速上行駛般暢行無阻，這一特性大幅度降低了器件損耗，降幅超過 60% 。在實現相同臨床效果的前提下，全序列功率降低幅度超過 50%。

　　此外，SiC的低損耗特性使其在工作過程中產生的熱量大幅度降低，且可以在更高溫度下可靠運行，故其能夠更好的降低散熱系統(tǒng)的設計的基本要求和尺寸。聯影醫(yī)療通過SiC GPA和智能水冷系統(tǒng)結合的全新設計，水冷功率降低了40%，設備年能耗從300噸標準煤驟降至129噸，節(jié)約能源的效果非常顯著。

　　2月14日，英飛凌宣布成功推出首批采用8英寸晶圓工藝制造的碳化硅（SiC）產品。據悉，這一些產品將在奧地利菲拉赫制造，為包括可再次生產的能源、火車和電動汽車在內的高壓應用提供一流的碳化硅功率技術。

　　這一舉措標志著英飛凌在碳化硅技術應用上邁出了重要一步，有望逐步提升相關領域的能源效率和性能表現。尤其在電動汽車領域，英飛凌不斷拓展合作版圖。英飛凌在生產布局上也有著重大進展，其位于馬來西亞居林的制造基地正順利從150毫米晶圓向200毫米直徑晶圓轉換，其新建Module 3 廠房已準備好依據市場需求開始大規(guī)模生產。

　　征世科技：成功研發(fā)30 mm×55 mm單晶金剛石散熱片及2英寸單晶金剛石晶圓

　　2025年2月20日，上海征世科技股份有限公司（以下簡稱：征世科技）宣布在單晶金剛石散熱片領域取得重大突破，成功研發(fā)出尺寸達30 mm×55 mm的單晶金剛石散熱片。該產品具有以下優(yōu)勢：

　　1）熱導率高達2000 W/(m·K)，是傳統(tǒng)銅、鋁等散熱材料的5倍以上，可快速將熱量從熱源導出，大大降低芯片結溫。

　　2）優(yōu)異的絕緣性能：電阻率高達1016 Ω·cm，可有很大成效避免電磁干擾，保證電子設備的穩(wěn)定運行。

　　同日，征世科技宣布成功研發(fā)出2英寸（1英寸=2.54 cm）單晶金剛石晶圓。

　　近期，中科半導體團隊推出首顆基于氮化鎵（GaN）可編程具身機器人動力系統(tǒng)芯片。芯片采用SIP封裝技術，內置硬件加速引擎、高速接口、PWM信號陣列可編程單元及邊緣圖像處理和各類傳感器及生物信息采集的高速接口。

　　該芯片主要使用在于多關節(jié)具身機器人及智能裝備領域，根據推理大模型生成的3D虛擬模型與姿態(tài)坐標，通過芯片自帶的“邊緣物理模型”輸出的陣列PWM電流信號控制上100條仿真肌肉及伺服電機系統(tǒng)來完成復雜的原子操作，單個姿態(tài)運動達32個自由度。

　　通過“邊緣物理模型”輸出PWM信號控制物理量信號，使機器人具有人一樣的復雜肢體動作和物理質量的約束。

　　Wolfspeed近日發(fā)布了全新的第4代（Gen 4）技術平臺，該平臺從設計端就考慮耐久性和高效性，同時還能降低系統(tǒng)成本、縮短開發(fā)時間。第4代技術專為簡化大功率設計中常見的開關行為和設計挑戰(zhàn)而設計，并為 Wolfspeed 的各種類型的產品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產品）制定了長遠的發(fā)展規(guī)劃路線圖。這一些產品目前有750 V、1200 V 和 2300 V 等級可供選擇。

　　第 4 代技術將依托Wolfspeed的高效 200 mm 晶圓交付，該技術將為大功率汽車、工業(yè)和可再次生產的能源系統(tǒng)的設計人員帶來顯著的性能提升，主要優(yōu)勢包括：

　?。?）整體系統(tǒng)效率：在工作時候的溫度下，導通電阻降低高達 21%，開關損耗降低高達 15%；（2）耐久性：確?？煽康男阅埽ǜ哌_ 2.3 μS 的短路耐受時間，以提供額外的安全余量；（3）更低的系統(tǒng)成本：簡化設計流程，降低系統(tǒng)成本、縮短開發(fā)時間。

　　華潤微電子于近期在重慶舉辦了功率模塊新品發(fā)布會，推出了基于高壓超結MOS、IGBT、SiC的多種PIM模塊、車規(guī)主驅模塊及IPM模塊等系列新品。這些新品主要使用在于新能源汽車的車載充電機（OBC）、主驅逆變器、高壓直流轉換器（DC-DC）等核心部件，以及新能源發(fā)電、工業(yè)控制、白電等領域。

　　據悉，華潤微電子的SiC模塊產品有DCM系列半橋功率模塊、MSOP系列半橋功率模塊、HPD系列全橋功率模塊，具有高功率密度、低開關損耗、小型化設計、高散熱性等特點，能夠明顯提升新能源汽車的系統(tǒng)效率和續(xù)航能力。據華潤微電子有關負責的人介紹，截至目前，華潤微電子已有56款車規(guī)級功率芯片實現量產，鄭重進入重慶某主機廠的供應鏈名單。以半橋功率模塊為代表的產品，已向國內多家頭部新能源車企批量供貨。

　　近日，蘇州立琻半導體有限公司(LEKIN)發(fā)布行業(yè)首款硅基GaN單芯集成全彩Micro-LED芯片——LEKIN-SiMiP?，并與惠科等多家顯示客戶展開合作，實現其在微間距LED大屏直顯應用驗證。該技術規(guī)避了巨量轉移難題，大幅度的提高了直通良率，推動我們國家在微間距LED大屏直顯技術領域躋身全球前列。

　　立琻半導體基于自有的硅基GaN高效Micro-LED技術基礎，瞄準超高的性價比的微間距LED大屏直顯應用需求，自主研發(fā)了單芯全彩化SiMiP顯示芯片技術。SiMiP是一種高階MiP技術，通過單芯集成紅綠藍三基色像元，無需復雜的巨量轉移和修復工藝，只需一次固晶即可將芯片轉移到驅動背板上。該技術可大幅度提高微間距LED顯示模組生產的直通良率，明顯降低生產所帶來的成本，兼具高性能與低成本的優(yōu)勢，為微間距LED大屏直顯應用提供了更具競爭力的解決方案。

　　2月13日，理想汽車在微博平臺上宣布，他們自研的碳化硅功率芯片完成裝機，自研的自產的碳化硅功率模塊和新一代電驅動總成已分別在理想汽車蘇州半導體生產基地和常州電驅動生產基地量產下線。理想汽車還表示，這三大核心技術將陸續(xù)搭載于理想純電車型。

　　電驅動總成是理想“三電”戰(zhàn)略的核心，理想汽車通過垂直整合核心技術（如SiC模塊、電驅動），未來將結合SiC模塊和800V平臺，逐步優(yōu)化能耗和充電性能，支撐純電車型的市場競爭力。

　　鈞聯電子：安徽省首條先進工藝SiC車規(guī)功率模塊產線日，鈞聯電子成功舉行了“安徽省首條先進工藝碳化硅車規(guī)功率模塊產線下線儀式”。隨著該條產線的全面投產，標志著鈞聯電子完成了功率模塊-電機控制器-電驅動總成全鏈閉環(huán)的關鍵拼圖，

　　在新能源汽車電驅系統(tǒng)的核心技術突破與產業(yè)化進程邁入全新階段。目前，鈞聯電子已獲新能源汽車領域多家主機廠的電驅、電控量產訂單與項目，并且還與eVTOL航空器頭部主機廠深度合作，其800V高壓碳化硅工藝模塊已經在多家主機廠完成驗證并批量供貨。

　　呼和浩特經開區(qū)管委會與納星（寧波）半導體有限公司完成金剛石熱管理材料產業(yè)化項目簽約

　　2月9日，呼和浩特經開區(qū)管委會與納星（寧波）半導體有限公司舉行金剛石熱管理材料產業(yè)化項目簽約儀式，標志著雙方在半導體材料領域的合作邁出關鍵一步，將為經開區(qū)的產業(yè)升級和經濟發(fā)展注入新動力。

　　本次簽約的金剛石熱管理材料產業(yè)化項目總投資 1.2 億元，其中固定資產投資 1 億元。項目全部達產后，預計可實現年產值 1 億元，年納稅約 700 萬元，帶動當地就業(yè)約 40 人。該項目的落地，將加強完善經開區(qū)在半導體材料產業(yè)鏈的布局，提升區(qū)域產業(yè)競爭力。

　　據悉，納星（寧波）半導體有限公司是一家專注于MPCVD（微波等離子體化學氣相沉積）專用設備研發(fā)與生產的先進制造企業(yè)。其設備在金剛石半導體領域應用廣泛，公司自主研發(fā)的熱管理用金剛石薄膜產品，依托河南省科學院的人才優(yōu)勢，運用前沿制造技術，在大尺寸金剛石晶圓研發(fā)及生產方面成果顯著。

　　2月5日，衢州市委召開“工業(yè)強市、產業(yè)興市”打造高水平發(fā)展建設共同富裕示范區(qū)市域樣板推進會。會上共有76個項目簽約，計劃總投資594.5億元。其中：現場集中簽約項目26個，計劃總投資451.5億元；場外簽約項目50個，計劃總投資143億元。

　　現場集中簽約項目中涉及多個半導體相關項目，包括浙江芯谷半導體產業(yè)園、半導體核心零部件項目、氮化鋁單晶襯底項目、6英寸化合物襯底項目。

　　項目計劃總投資17.7億元，用地面積221畝，建設浙江芯谷半導體產業(yè)園。達產后預計可實現年營業(yè)收入18億元，年稅收9000萬元。

　　項目計劃總投資10億元，用地面積150畝，建設年產5萬片2-6英寸AlN單晶襯底生產線。達產后預計可實現年營業(yè)收入10億元，年稅收1.5億元。

　　項目計劃總投資10億元，用地面積30畝，建設廠房約2萬平方米，主要建設6英寸化合物襯底生產線。達產后預計可實現年營業(yè)收入10億元，年稅收5000萬元。

　　近日，《南京市2025年經濟社會持續(xù)健康發(fā)展重點項目名單》正式對外發(fā)布，2025年南京市重點項目共500個。其中，實施項目443個，前期項目57個。從產業(yè)類別看，實施項目中科創(chuàng)項目63個，先進制造業(yè)項目228個。其中，先進制造業(yè)項目中上榜的集成電路項目共18個，包括：

　　展芯半導體總部、南京國兆光電OLED微顯示器件擴產、南京誠志高端光學新材料、中江IGBT半導體功率模塊覆銅陶瓷基板產業(yè)化等實施項目也上榜。

　　此外，前期項目包括南京8英寸第三代半導體晶圓線、昀光科技高性能硅基OLED微顯示器研發(fā)及產業(yè)化、茂萊精密光學產業(yè)基地等項目。

　　2月7日，據韓媒Etoday報道，SK 集團已經與三星電子、Above Semiconductor 共同參與了國家項目“SiC·GaN 功率半導體”的聯合開發(fā)，并計劃在今年開始量產8英寸 SiC 襯底。

　　據SK 集團董事長崔泰源透露，他們正在加速對 SiC 襯底的投資，并將其作為繼高帶寬存儲器 (HBM) 之后的下一代增長引擎，并計劃在韓國和美國之間建立雙重生產體系，于今年開始量產8英寸 SiC 襯底以搶占市場。

　　值得注意的是，SK Siltron的韓國工廠主要分布在龜尾市和利川市，主要生產硅襯底，SiC襯底產能以美國工廠為主。據此來看，SK Siltron或將增加韓國本土的SiC襯底產能，并生產8英寸SiC襯底。

　　據報道，SK 集團的美國子公司SK Siltron CSS主要生產碳化硅襯底和外延片，其在美國密歇根州奧本市、貝城分別擁有兩座工廠，并獲得美國能源部4.815億美元（約34.8億人民幣）的貸款。

　　2022年3月，SK Siltron CSS的貝城 SiC 工廠正式投入運營，年產量預計在6萬片左右，第二階段擴建預計2025年完成，屆時SK Siltron的6吋 SiC 襯底產能將增加到每年50萬片。

　　2月18日，中微半導體設備（上海）股份有限公司（下稱“中微公司”）與成都高新區(qū)簽訂投資合作協議，企業(yè)將在成都高新區(qū)設立全資子公司——中微半導體設備（成都）有限公司，專注于高端邏輯及存儲芯片相關設備的研發(fā)和生產，涵蓋化學氣相沉積設備、原子層沉積設備及其他關鍵設備。同時將建設研發(fā)及生產基地暨西南總部項目。

　　項目總投資額約30.5億元，注冊資本1億元，并計劃購地50余畝，用于建設研發(fā)中心、生產制造基地、辦公用房及附屬配套設施，以滿足量產需求。項目擬于2025年啟動建設，2027年正式投入生產。

　　近日，武漢凈瀾檢測有限公司在官網公布了《智新半導體二期產線建設項目階段性竣工環(huán)境保護驗收監(jiān)測報告表》，其中透露了智新半導體的SiC模塊封裝產線建設進展。

　　據悉，該項目屬于技改項目，位于武漢市經開區(qū)，總投資約為1.63億，計劃在原有智新半導體有限公司租賃車間內新增1條自動化IGBT模塊封裝線，同時新增銀燒結相關工藝設備，具備SiC模塊研發(fā)及生產能力。

　　本次驗收范圍只包含智新半導體二期產線建設項目已建設完成運行部分，目前芯片劃片工藝暫未建設。具體來看，該項目于2023年5月8日開工建設，2024年1月4日竣工，2024年4月調試運行，將新增產能IGBT模塊38萬只/年、IGBT模塊（SiC模塊）2萬只/年，結合原有IGBT模塊30萬只/年的產能，合計產能達70萬只/年。

　　據珠海市工業(yè)和信息化局消息，2月5日，珠海各區(qū)（功能區(qū)）舉行2025年第一季度重點項目開工儀式，其中奕源半導體材料產業(yè)基地正式開工，一期項目預計于2026年上半年實現投產。該項目總投資約100億元，

　　主要生產具有全球領先工藝技術水平的合成石英部件、碳化硅功率模組載板等。其中，碳化硅功率模組載板是碳化硅模組封裝的核心組件，是解決碳化硅高功率模塊散熱和提升可靠性的關鍵材料。信息來源：

　　近日，據印度時報報道，印度理工學院布巴內斯瓦爾分校與私營公司 SiCSem 聯合開設了一個碳化硅研究及創(chuàng)新中心—SiCRIC，將致力研究6、8英寸碳化硅晶錠及襯底的大批量生產技術。

　　據悉，該中心的投入成本為4.45億盧比（約合人民幣0.37億），將為SiCSem位于印度奧里薩邦的 SiC 設備制造和 ATMP（半導體制造后道工序）工廠提供技術上的支持，該工廠總投資為300億盧比（約合人民幣25億），已成功奠基。

　　印度理工學院布巴內斯瓦爾分校校長 Shreepad Karmalkar 表示，印度中央政府已批準了多個重要的半導體項目，而奧里薩邦也吸引了 SicSem 、RIR Power Electronics 等復合半導體工廠。學院及研究中心將致力于為半導體（尤其是復合半導體）行業(yè)提供從粉未到晶體到晶圓再到封裝的全流程技術探討研究、創(chuàng)新和技能培訓。

　　2月25日，據“德清組工”官微透露，“中大功率氮化鎵芯片及其模組”總部項目已落戶浙江市德清縣，其主體為湖州鎵奧科技有限公司。

　　鎵奧科技成立于2024年11月，是一家專注于氮化鎵功率器件及其模組研發(fā)、生產和銷售的創(chuàng)新型企業(yè)，團隊核心技術為“國產替代”氮化鎵中大功率芯片和“國產設計”中大功率模組，并擁有自主知識產權，技術處于行業(yè)領頭羊，主要應用領域為AI和新能源兩大賽道。信息來源：

　　近期，據某建設項目環(huán)境信息公示平臺文件透露，由雅安國鎵芯科半導體科技有限公司建設的氮化鎵生產基地項目（一期）已通過竣工環(huán)境保護驗收，建成投產后將生產氮化鎵襯底。

　　，位于四川省雅安市，主要建設內容有生產車間（生長區(qū)、HVPE區(qū)、裝料取晶區(qū)）、原料儲存區(qū)等配套工程，于2024年1月1日開工建設，2024年5月10日建成，投產后將形成年產單晶氮化鎵襯底數千片的生產能力。信息來源：

　　2月9日上午，制局半導體先進封裝模組制造項目開工儀式在南通高新區(qū)舉行。制局半導體是小芯片和異構集成技術先行者，致力于為客戶提供系統(tǒng)芯片及模組整體解決方案。此次開工的制局半導體（南通）有限公司先進封裝（Chiplets）模組制造項目總投資10.5億元，為客戶提供Chiplet模組整體解決方案，幫助客戶克服大芯片設計、成本的限制。

　　項目的順利開工，標志著公司向AI、5G、汽車電子模組制造體系自主可控、國際領先的目標邁出了堅實一步。信息來源：

　　據“今日恭城”官微消息，2月8日，桂林市重大產業(yè)項目現場推進會（恭城分會場）暨恭城仟領莫桑石和碳化硅材料生產等兩個項目集中開竣工儀式在開花山創(chuàng)新科技產業(yè)園舉行。

　　據介紹，莫桑石和碳化硅材料作為新一代高性能材料，在電子、光學、新能源等領域展現出巨大的應用潛力，是推動產業(yè)升級、引領科學技術創(chuàng)新的關鍵力量。仟領莫桑石和碳化硅材料生產項目計劃于2025年11月竣工投產，

　　魯歐智造憑自身的砥礪奮進，于2024年除夕前圓滿完成了A+輪數千萬融資，由中關村發(fā)展集團啟航投資領投、源禾資本跟投。

　　魯歐智造（山東）數字科技有限公司（以下簡稱“魯歐智造”）力求在電子熱管理領域進行共性技術創(chuàng)新，此前A輪融資獲得知名機構深創(chuàng)投及中科創(chuàng)星的投資。公司的目標是構建完整TDA(Thermal Design Automation)工具生態(tài)鏈，涵蓋測量→建?！抡妗鷳谩鷶底仲Y產，形成被全世界廣泛接受的熱數字孿生技術體系，成為TDA行業(yè)的世界級領先企業(yè)。魯歐智造以“三駕馬車”為核心戰(zhàn)略，全面布局測試設備、仿真軟件以及集成電路業(yè)務。

　　2月19日，青島思銳智能科技股份有限公司（以下簡稱“思銳智能”）擬沖擊A股IPO的消息引發(fā)市場廣泛關注。2025年2月7日，思銳智能順利完成股份制改制，企業(yè)名稱正式變更為“青島思銳智能科技股份有限公司”，這為其IPO之路奠定了堅實基礎。

　　官網顯示，思銳智能成立于2018年，總部在青島，在北京、上海設有研發(fā)中心。企業(yè)主要聚焦關鍵半導體前道工藝設備的研發(fā)、生產和銷售，提供具有自主可控的核心關鍵技術的系統(tǒng)裝備產品和技術服務方案。公司產品有原子層沉積（ALD）設備及離子注入（IMP）設備，大范圍的應用于集成電路、第三代半導體、新能源、光學、零部件鍍膜等諸多高精尖領域。從股權結構來看，思銳智能無控制股權的人、無實際控制人，第一大股東為中車青島四方車輛研究所有限公司，持股票比例為19.48%。

　　2月11日晚間，港交所網站顯示，寧德時代正式向港交所提交上市申請。若流程順利，有望成為去三年港股最大一筆IPO，并為寧德時代拓展境外融資渠道，加入其海外擴張。

　　寧德時代在去年12月即宣布，擬發(fā)行境外上市外資股股票，并申請在港交所主板掛牌上市。當時陸媒指出，若中國大陸監(jiān)督管理的機構審核等流程順利，寧德時代會在2025年正式登陸港股，成為繼2021年短影音軟體公司快手在香港上市后，過去三年港股最大一筆IPO。

　　湖南新鋒科技有限公司（以下簡稱：新鋒科技）自2019年成立以來，憑借其在金剛石材料創(chuàng)新功能應用領域的卓越表現

　　，一直處于行業(yè)前沿。繼達晨財智、香柏泓石等機構A輪投資后，2025年1月，由中科創(chuàng)星領投、湘江國投跟投的新一輪戰(zhàn)略融資順利完成。前后融資總額達數千萬元，國資占比約64%（含中央14%，地方50%）。公司在電化學、熱學、光學等多領域產業(yè)研創(chuàng)布局、智能產業(yè)基地建設、新產品線開發(fā)等方面，進入全面提速階段。同時，將以此為契機，深化產學研用合作，持續(xù)深耕金剛石材料在多元領域的創(chuàng)新應用，全力實現“突破科技研用壁壘，解決全球面臨挑戰(zhàn)，助力世界持續(xù)發(fā)展，改善人類健康生活”的企業(yè)使命。派恩杰半導體：完成近5億元融資

　　2月21日，設計企業(yè)派恩杰半導體完成近5億A輪融資，主要投資方包含寧波通商基金、寧波勇誠資管、上海半導體裝備材料產業(yè)投資基金、南京創(chuàng)投、山證創(chuàng)新、坤泰資本等。融資完成后，公司將加速碳化硅與氮化鎵功率器件產業(yè)化。消息顯示，其主攻的第三代半導體已逐步量產。

　　近日，據億歐網報道，江蘇尊陽電子科技有限公司已完成B輪融資，由知名投資機構新潮創(chuàng)投投資。據悉，尊陽電子成立于2021年5月，是一家專注于功率器件與功率IC研發(fā)制造的高新技術企業(yè)。其產品線涵蓋光電產品、IGBT、第三代半導體等多個領域。文章進一步透露，此次融資將助力尊陽電子進一步加大研發(fā)力度，提升產品競爭力，推動公司在功率器件領域的創(chuàng)新與發(fā)展。新潮創(chuàng)投的加入，不僅為尊陽電子帶來了資金支持，更帶來了豐富的產業(yè)資源與市場渠道，有望助力公司實現加快速度進行發(fā)展。需要我們來關注的是，2024年5月，尊陽電子在官微宣布他們已與北京昕感科技有限責任公司簽訂合資協議，成立江蘇昕陽電子科技有限公司。

　　以上就是本期《產業(yè)信息簡報（二月）》的全部內容，再次感謝您的關注與支持！未來，我們將持續(xù)深耕寬禁帶半導體領域，不斷探索與創(chuàng)新，力求為您提供最前沿、最全面的寬禁帶半導體產業(yè)信息。如果您有任何建議或要進一步的信息支持，歡迎隨時與我們聯系。期待與您共同見證寬禁帶半導體產業(yè)的蓬勃發(fā)展！